SI9953DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI9953DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI9953DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9953DY даташит

 ..1. Size:68K  1
 si9953dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

Si9953DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.25 @ VGS = 10 V "2.3 20 20 0.40 @ VGS = 4.5 V "1.5 S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top View D1 D1 D2 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain

 ..2. Size:68K  vishay
 si9953dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

 9.1. Size:135K  vishay
 si9958dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

 9.2. Size:66K  vishay
 si9956dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS12N65T, JCS12N65CT, JCS12N65FT, ME4410A, MMD65R600QRH, MT3245, NCE0117K, NTMFS4C55N, 10N60, STP110N7F6, SUP85N03-07P, SUB85N03-07P, SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN