Справочник MOSFET. SI9953DY

 

SI9953DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9953DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI9953DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9953DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  1
 si9953dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

Si9953DYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.25 @ VGS = 10 V "2.320200.40 @ VGS = 4.5 V "1.5S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top ViewD1 D1 D2 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain

 ..2. Size:68K  vishay
 si9953dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

 9.1. Size:135K  vishay
 si9958dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

 9.2. Size:66K  vishay
 si9956dy.pdf pdf_icon

SI9953DY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JCS12N65T , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A , MMD65R600QRH , MT3245 , NCE0117K , NTMFS4C55N , IRFB4110 , STP110N7F6 , SUP85N03-07P , SUB85N03-07P , SVF4N60CAF , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN .

History: STP19NM65N | 2SK1632 | FDD20AN06A0 | RFD4N06LSM | AOD422 | NCE65NF130 | AOD242

 

 
Back to Top

 


 
.