SI9953DY - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SI9953DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI9953DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 6.7 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9953DY

SI9953DY Datasheet (PDF)

1.1. si9953dy.pdf Size:68K _1

Si9953DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.25 @ VGS = –10 V "2.3 –20 –20 0.40 @ VGS = –4.5 V "1.5 S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top View D1 D1 D2 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain

1.2. si9953dy.pdf Size:68K _vishay