SI9953DY - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SI9953DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI9953DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 6.7 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9953DY

SI9953DY Datasheet (PDF)

0.1. si9953dy.pdf Size:68K _1

Si9953DYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.25 @ VGS = 10 V "2.320200.40 @ VGS = 4.5 V "1.5S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top ViewD1 D1 D2 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain

0.2. si9953dy.pdf Size:68K _vishay