Справочник MOSFET. STP110N7F6

 

STP110N7F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: STP110N7F6

Маркировка: 110N7F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 68 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 100 nC

Время нарастания (tr): 29 ns

Выходная емкость (Cd): 340 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP110N7F6

 

 

STP110N7F6 Datasheet (PDF)

1.1. stp110n7f6.pdf Size:626K _1

STP110N7F6
STP110N7F6

STP110N7F6 N-channel 68 V, 0.0055 Ω typ., 110 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID PTOT TAB STP110N7F6 68 V 0.0065 Ω 110 A 176 W • Very low on-resistance 3 2 1 • Very low gate charge TO-220 • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss Applications Figure 1. Internal schem

3.1. stp110n55f6.pdf Size:647K _st

STP110N7F6
STP110N7F6

STP110N55F6 N-channel 55 V, 4.5 Ω typ., 110 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID TAB STP110N55F6 55 V 5.2 mΩ 110 A • Low gate charge • Very low on-resistance 3 2 1 • High avalanche ruggedness TO-220 Applications • Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagr

3.2. stp110n8f6.pdf Size:551K _st

STP110N7F6
STP110N7F6

STP110N8F6 N-channel 80 V, 0.0056 Ω typ.,110 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT TAB STP110N8F6 80 V 0.0065 Ω 110 A 200 W • Very low on-resistance 3 2 1 • Very low gate charge TO-220 • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss Applications Figure 1. Internal schemat

 3.3. stf110n10f7 stp110n10f7.pdf Size:1225K _st

STP110N7F6
STP110N7F6

STF110N10F7, STP110N10F7 N-channel 100 V, 5.1 mΩ typ., 110 A, STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT STF110N10F7 45 A 30 W TAB 100 V 0.007 Ω STP110N10F7 110 A 150 W • Ultra low on-resistance 3 3 2 2 1 1 • 100% avalanche tested TO-220FP TO-220 Applications • Sw

3.4. stp110n8f6.pdf Size:227K _inchange_semiconductor

STP110N7F6
STP110N7F6

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP110N8F6 ·FEATURES ·Very low on-resistance ·Very low gate charge ·High avalanche ruggedness ·Low gate drive power loss ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top