Справочник MOSFET. AO3419L

 

AO3419L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO3419L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AO3419L

 

 

AO3419L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  1
 ao3419l.pdf

AO3419L AO3419L

Rev 1:Nov 2004AO3419, AO3419L ( Green Product )P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3419 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3.5 Aoperation with gate voltages as low as 2.5V. This RDS(ON)

 8.1. Size:311K  aosemi
 ao3419.pdf

AO3419L AO3419L

AO341920V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO3419 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -3.5Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -10V)

 8.2. Size:1382K  kexin
 ao3419-3.pdf

AO3419L AO3419L

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETAO3419 (KO3419)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1Features3VDS (V) = -20VID = -3.5 ARDS(ON) 75m (VGS = -10V)1 2+0.02RDS(ON) 95m (VGS = -4.5V) +0.10.15 -0.020.95 -0.11.9+0.1-0.2DRDS(ON) 145m (VGS = -2.5V)1. Gate2. SourceG3. DrainSAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

 8.3. Size:1708K  kexin
 ao3419.pdf

AO3419L AO3419L

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETAO3419 (KO3419)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1Features+0.10.4 -0.1VDS (V) = -20V3ID = -3.5 ARDS(ON) 75m (VGS = -10V)1 2RDS(ON) 95m (VGS = -4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1RDS(ON) 145m (VGS = -2.5V)1.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta =

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top