Справочник MOSFET. SVF12N65F

 

SVF12N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF12N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SVF12N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  1
 svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65F

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 ..2. Size:394K  silan
 svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

SVF12N65F

SVF12N65F/K/S 12A650V N 2SVF12N65F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 113 TO-263-2L3

 ..3. Size:444K  silan
 svf12n65t svf12n65f.pdf pdf_icon

SVF12N65F

SVF12N65T/F 12A650V N 2SVF12N65T/F NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

 6.1. Size:489K  silan
 svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon

SVF12N65F

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PDEC3907Z , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SKD502T , SVF12N65T , TSP50N06M , TSF50N06M , AOT2144L , AOTF12N65L , AOTF2144L , AOTF25S65L , BUZ31H3046 .

History: HMS10N60K | FQD13N10LTF | STW77N65M5 | F31W60CP | AUIRF540Z | IXFH17N80Q

 

 
Back to Top

 


 
.