Справочник MOSFET. TSF50N06M

 

TSF50N06M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSF50N06M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TSF50N06M

 

 

TSF50N06M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  1
 tsp50n06m tsf50n06m.pdf

TSF50N06M TSF50N06M

TSP50N06M / TSF50N06M60V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 50A, 60V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 33nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avala

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SHDCG225715

 

 
Back to Top