AOTF12N65L - описание и поиск аналогов

 

AOTF12N65L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF12N65L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF12N65L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF12N65L даташит

 ..1. Size:435K  aosemi
aot12n65 aotf12n65 aotf12n65l aob12n65l.pdfpdf_icon

AOTF12N65L

AOT12N65/AOTF12N65/AOTF12N65L/AOB12N65L 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOT12N65 & AOTF12N65 & AOTF12N65L & AOB12N65L have been fabricated using an advanced ID (at VGS=10V) 12A high voltage MOSFET process that is designed to deliver RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
aotf12n65l.pdfpdf_icon

AOTF12N65L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF12N65L FEATURES Drain Current I =12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.72 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 5.1. Size:381K  aosemi
aotf12n65.pdfpdf_icon

AOTF12N65L

AOT12N65/AOTF12N65 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.2. Size:385K  aosemi
aot12n65 aotf12n65 aob12n65.pdfpdf_icon

AOTF12N65L

AOT12N65/AOTF12N65/AOB12N65 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOT12N65 & AOTF12N65 & AOB12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F , SVF12N65T , TSP50N06M , TSF50N06M , AOT2144L , IRF520 , AOTF2144L , AOTF25S65L , BUZ31H3046 , DMG3N60SCT , DMN95H8D5HCT , DMP6180SK3-13 , FCH040N65S3 , FCH099N60E .

History: IRF8252 | AOC2870

 

 

 

 

↑ Back to Top
.