IPA037N08N3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPA037N08N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1640 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для IPA037N08N3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPA037N08N3 даташит
ipa037n08n3.pdf
# ! ! (TM) # A03 B53 7 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 7 D Q H35
ipa037n08n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPA037N08N3,IIPA037N08N3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 3.7m (max) Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM
ipa037n08n3g.pdf
IPA037N08N3 G OptiMOS(TM)3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli
ipa030n10n3g.pdf
IPA030N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 3 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 79 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequen
Другие MOSFET... FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IRFP064N , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 , IPA60R360P7 , IPAN60R650CE , IPB048N15N5 , IPI030N10N3 .
History: IPW60R120P7
History: IPW60R120P7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement





