IPA037N08N3 - описание и поиск аналогов

 

IPA037N08N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA037N08N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для IPA037N08N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA037N08N3 даташит

 ..1. Size:536K  infineon
ipa037n08n3.pdfpdf_icon

IPA037N08N3

# ! ! (TM) # A03 B53 7 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 7 D Q H35

 ..2. Size:256K  inchange semiconductor
ipa037n08n3.pdfpdf_icon

IPA037N08N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA037N08N3,IIPA037N08N3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 3.7m (max) Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

 0.1. Size:393K  infineon
ipa037n08n3g.pdfpdf_icon

IPA037N08N3

IPA037N08N3 G OptiMOS(TM)3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 9.1. Size:335K  infineon
ipa030n10n3g.pdfpdf_icon

IPA037N08N3

IPA030N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 3 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 79 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequen

Другие MOSFET... FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IRFP064N , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 , IPA60R360P7 , IPAN60R650CE , IPB048N15N5 , IPI030N10N3 .

History: IPW60R120P7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.