IPI320N20N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPI320N20N3
Маркировка: 320N20N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IPI320N20N3
IPI320N20N3 Datasheet (PDF)
1.1. ipp320n20n3g ipb320n20n3g ipi320n20n3g.pdf 
Size:731K _infineon
$ " " $$ " " $ " " TM $;B1= '=-:>5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 200 V DS Q ' 381>>5< >?B=1< <5F5< 2 m DS(on) max Q H35<<5>D 71D5 381B75 H @B?4E3D ( & DS(on) 4 A D Q .5BI B5C9CD1>35 DS(on) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 <514 @<1D9>7 + ?", 3?=@<91>D 1) Q * E1<96954 133?B49>7 D? $ 6?B D1B75D 1@@<931D9?> Q "1 6B55 133?B49>7 D? # Q #451< 6?B 8978 6B
1.2. ipp320n20n3g ipb320n20n3g ipi320n20n3g .pdf Size:419K _infineon
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features V 200 V DS • N-channel, normal level R 32 mΩ DS(on),max • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 34 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target applica
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
