SVF5N60D - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF5N60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF5N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF5N60D

SVF5N60D Datasheet (PDF)

..1. Size:528K 1
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

..2. Size:563K silan
svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf