SVF5N60D - описание и поиск аналогов

 

SVF5N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF5N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF5N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N60D даташит

 ..1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60D

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 ..2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N60D

 ..3. Size:479K  silan
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60D

SVF5N60T/F/D/MJ 5A 600V N 2 SVF5N60T/F/D/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 TO-252-2L 3

 0.1. Size:458K  silan
 svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N60D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 12N65KG-TF , 12N65KG-TQ , HY3306P , HY3306B , IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , 12N60 , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 .

History: IAUC70N08S5N074 | SMG2310A | HM1607 | UPA1770G | RW1C015UN | 2SK3650-01SJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.