Справочник MOSFET. SVF5N60D

 

SVF5N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF5N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF5N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60D

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 ..2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N60D

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.

 ..3. Size:479K  silan
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60D

SVF5N60T/F/D/MJ 5A600V N 2SVF5N60T/F/D/MJ NMOSF-CellTMVDMOS 1 TO-252-2L3

 0.1. Size:458K  silan
 svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N60D

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS 1 1 F-CellTM VDMOS 3TO-252-2L3 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 12N65KG-TF , 12N65KG-TQ , HY3306P , HY3306B , IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , 4N60 , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 .

History: STP14NF10 | NP80N04DHE | STD13N60M2 | RFD3055LESM | SML10J225 | BLM9435 | SSPS922NE

 

 
Back to Top

 


 
.