AO6414 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AO6414
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AO6414 Datasheet (PDF)
ao6414 mc6414.pdf

FreescaleAO6414/ MC6414N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.4 Low thermal impedance 60107 @ VGS = 4.5V3.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAX
ao6415.pdf

AO641520V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO6415 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -3.3Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -10V)
ao6411.pdf

AO641120V P-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)
ao6415.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6415 (KO6415)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features VDS (V) =-20V6 5 4 ID =-3.3A (VGS =-10V) RDS(ON) 82m (VGS =-10V) RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 ESD Rating: 2000V HBM+0.01-0.01+0.2-0.1D1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPA057N06N3 | STB18NF25 | AP4920GM-HF | NTMD6P02R2 | IRL2703SPBF | NCEA60ND18G | CJAC50P03
History: IPA057N06N3 | STB18NF25 | AP4920GM-HF | NTMD6P02R2 | IRL2703SPBF | NCEA60ND18G | CJAC50P03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent