AO6414. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AO6414
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для AO6414
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AO6414 даташит
ao6414 mc6414.pdf
Freescale AO6414/ MC6414 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 92 @ VGS = 10V 3.4 Low thermal impedance 60 107 @ VGS = 4.5V 3.1 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAX
ao6415.pdf
AO6415 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -3.3A voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -10V)
ao6411.pdf
AO6411 20V P-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)
ao6415.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO6415 (KO6415) ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features VDS (V) =-20V 6 5 4 ID =-3.3A (VGS =-10V) RDS(ON) 82m (VGS =-10V) RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V) 2 3 1 +0.02 0.15 -0.02 ESD Rating 2000V HBM +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 D 1 Drain 4 Source 2 Drain 5 Drain 3 Gate
Другие MOSFET... IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AON6380 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 .
History: HM4412A | APT1001RSLC | SMY52 | 2SK1009
History: HM4412A | APT1001RSLC | SMY52 | 2SK1009
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent




