Справочник MOSFET. GPT18N50GN3P

 

GPT18N50GN3P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GPT18N50GN3P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для GPT18N50GN3P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT18N50GN3P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1493K  1
 gpt18n50g gpt18n50dg.pdf pdf_icon

GPT18N50GN3P

GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D

Другие MOSFET... TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , IRFZ24N , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH .

History: WMJ28N60C4 | NTD20P06LT4G | RFP6P08 | SIF160N040 | HA210N06 | TSM900N06CW | NCE2008E

 

 
Back to Top

 


 
.