GPT18N50GN3P - описание и поиск аналогов

 

GPT18N50GN3P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GPT18N50GN3P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для GPT18N50GN3P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT18N50GN3P даташит

 5.1. Size:1493K  1
 gpt18n50g gpt18n50dg.pdf pdf_icon

GPT18N50GN3P

GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D

Другие MOSFET... TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , TK10A60D , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH .

History: AP9591GS | 2SK3111-ZJ | SFF054 | SWB090R08ET | OSG65R380FEF | APT5014BLLG | AP95T07AGP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.