SVD730T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVD730T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVD730T
SVD730T Datasheet (PDF)
svd730d svd730f svd730t.pdf

SVD730D/F/T_Datasheet 5.5A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD730D/F/T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
Другие MOSFET... KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , IRF830 , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F .
History: NCEP065N10AG | IRFZ34NSTR | SSN65R190S2 | NCEP090N10AGU | IPI120N06S4-02 | KI1N60DS | APM4030BNU
History: NCEP065N10AG | IRFZ34NSTR | SSN65R190S2 | NCEP090N10AGU | IPI120N06S4-02 | KI1N60DS | APM4030BNU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent