Справочник MOSFET. DG4N65-TO220F

 

DG4N65-TO220F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DG4N65-TO220F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DG4N65-TO220F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG4N65-TO220F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1254K  1
dg4n65.pdfpdf_icon

DG4N65-TO220F

DG4N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N65N

 9.1. Size:1358K  1
dg4n60.pdfpdf_icon

DG4N65-TO220F

DG4N60V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N60N

Другие MOSFET... SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , MMIS60R580P , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V , HY3410P , HY3410M , HY3410B , HY3410PS .

History: NCE3080L | D7509

 

 
Back to Top

 


 
.