Справочник MOSFET. HY3410B

 

HY3410B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3410B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 943 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HY3410B

 

 

HY3410B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1363K  hymexa
 hy3410p hy3410m hy3410b hy3410ps hy3410pm hy3410mf.pdf

HY3410B HY3410B

HY3410P/M/B/PS/PM/MFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/140ASRDS(ON)= 6.2 m(typ.) @ VGS=10VDGSD 100% avalanche testedGSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSpplicationsDA DGGTO-3PS-3L TO-3PM-3STO-220MF-3LSw

 8.1. Size:1041K  1
 hy3410.pdf

HY3410B HY3410B

HY3410P/M/B/PS/PM/MFAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 140 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current *

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HM70P04

 

 
Back to Top