Справочник MOSFET. SUV90N06-05

 

SUV90N06-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUV90N06-05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SUV90N06-05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUV90N06-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  1
 suv90n06-05.pdf pdf_icon

SUV90N06-05

SUV90N06-05New ProductVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 200_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 200_C Junction Temperature0.0052 @ VGS = 10 VD PWM Optimized60 90 a0.0072 @ VGS = 4.5 VAPPLICATIONSD Isolated DC/DC Converters- Primary-Side SwitchD Automotive- Fan MotorsDTO-262- 12-V Boardnet- Motor D

Другие MOSFET... JCS8N60S , JCS8N60B , JCS8N60C , JCS8N60F , ME4953 , SI4914DY , SSP60N05 , SSP60N06 , 10N60 , SVF740T , SVF740F , AOB9N70 , AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C .

History: IGOT60R070D1 | IXFH58N20Q | IRF6668PBF | STK12N05L | IXFN150N15 | RUH6080M3-C | RU7088R3

 

 
Back to Top

 


 
.