SUV90N06-05 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUV90N06-05  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SUV90N06-05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUV90N06-05 даташит

 ..1. Size:43K  1
 suv90n06-05.pdf pdf_icon

SUV90N06-05

SUV90N06-05 New Product Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) 200_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 200_C Junction Temperature 0.0052 @ VGS = 10 V D PWM Optimized 60 90 a 0.0072 @ VGS = 4.5 V APPLICATIONS D Isolated DC/DC Converters - Primary-Side Switch D Automotive - Fan Motors D TO-262 - 12-V Boardnet - Motor D

Другие IGBT... JCS8N60S, JCS8N60B, JCS8N60C, JCS8N60F, ME4953, SI4914DY, SSP60N05, SSP60N06, IRFP260N, SVF740T, SVF740F, AOB9N70, AOTF29S50L, AOTF9N70L, AOW66412, FMV60N190S2HF, JCS650C