SVF740T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVF740T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.18 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 38.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 118.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVF740T
SVF740T Datasheet (PDF)
svf740t svf740f.pdf
SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
svf740t svf740mj.pdf
SVF740T/MJ 10A400V N 2SVF740T/MJ N MOS 1213 F-CellTM VDMOS 3TO-251J-3L 1. 2. 3.
Другие MOSFET... JCS8N60B , JCS8N60C , JCS8N60F , ME4953 , SI4914DY , SSP60N05 , SSP60N06 , SUV90N06-05 , IRFB4227 , SVF740F , AOB9N70 , AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P85D | AGM30P55D1 | AGM30P55D | AGM30P55A | AGM30P35S | AGM30P35M | AGM30P35D | AGM30P35AP | AGM30P25S | AGM30P25MBQ | AGM30P25MBP | AGM30P25M | AGM30P25D | AGM30P25AP | AGM30P20S | AGM12T08C
Popular searches
ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet