Справочник MOSFET. SML60T38

 

SML60T38 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML60T38
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SML60T38

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML60T38 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:19K  semelab
sml60t38.pdfpdf_icon

SML60T38

SML60T38T247clip Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610)NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODE5.38 (0.212)6.20 (0.244)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS2VDSS 600V1 2 32.87 (0.113)ID(cont) 38A0.40 (0.016)3.12 (0.123) 0.79 (0.031)1.65 (0.065)2.13 (0.084) RDS(on) 0.1501.01 (0.040)1.40 (0.055

 9.1. Size:20K  semelab
sml60l38.pdfpdf_icon

SML60T38

SML60L38TO264AA Package Outline.Dimensions in mm (inches)1.80 (0.071)2.01 (0.079) NCHANNEL4.60 (0.181) 19.51 (0.768)5.21 (0.205) 26.49 (0.807)3.10 (0.122)ENHANCEMENT MODE3.48 (0.137)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 600V1 2 32.29 (0.090)ID(cont) 38A2.69 (0.106)2.79 (0.110)3.18 (0.125)RDS(on) 0.1500.48 (0.019) 0.76 (0.030)0.84 (0.033) 1.30 (0.051)

 9.2. Size:24K  semelab
sml60j62.pdfpdf_icon

SML60T38

SML60J62SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3V

 9.3. Size:26K  semelab
sml60w32.pdfpdf_icon

SML60T38

SML60W32TO267 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNELENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 600VID(cont) 31.5ARDS(on) 0.170 Faster Switching Lower Leakage TO267 Hermetic PackageDStarMOS is a new generation of high voltageNChannel enhancement mode power MOSFETs.This new technology minimises the JFET effect,Gincreas

Другие MOSFET... SML60H16 , SML60H20 , SML60J35 , SML60J62 , SML60L38 , SML60M90BFN , SML60S16 , SML60S18 , IRFB3607 , SML60W32 , SML7516DFN , SML8016DFN , SML801R2AN , SML801R2BN , SML801R2CN , SML801R4AN , SML801R4BN .

History: FS70SM-2 | FS70UM-2 | FS70KMJ-03F | ZVN2106ASTOB | ZVN3306FTA | APT4020BVR | FRK9260H

 

 
Back to Top

 


 
.