Справочник MOSFET. AOTF9N70L

 

AOTF9N70L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOTF9N70L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 28.5 nC
   Время нарастания (tr): 61 ns
   Выходная емкость (Cd): 113 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для AOTF9N70L

 

 

AOTF9N70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  inchange semiconductor
aotf9n70l.pdf

AOTF9N70L AOTF9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF9N70LFEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =700V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 6.1. Size:403K  1
aot9n70 aotf9n70 aob9n70.pdf

AOTF9N70L AOTF9N70L

AOT9N70/AOTF9N70/AOB9N70700V, 9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 9Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:528K  aosemi
aotf9n70.pdf

AOTF9N70L AOTF9N70L

AOT9N70/AOTF9N70700V, 9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOT9N70 & AOTF9N70 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 9Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:252K  inchange semiconductor
aotf9n70.pdf

AOTF9N70L AOTF9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF9N70FEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =700V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top