JCS650C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS650C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 251 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO220C

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JCS650C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS650C даташит

 ..1. Size:488K  1
 jcs650c jcs650f jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650C

N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson @Vgs=10V 0.085 Qg 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 ..2. Size:947K  jilin sino
 jcs650c jcs650f jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650C

N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson-max 85m @Vgs=10V Qg-typ 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:255K  inchange semiconductor
 jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650C

isc N-Channel MOSFET Transistor JCS650S FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =85m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... SUV90N06-05, SVF740T, SVF740F, AOB9N70, AOTF29S50L, AOTF9N70L, AOW66412, FMV60N190S2HF, AO3400, JCS650F, JCS650S, R6002END3, R6003KND3, R6004JND3, R6004JNJ, R6004JNX, R6006JND3