Справочник MOSFET. JCS650F

 

JCS650F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS650F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 103 nC
   trⓘ - Время нарастания: 251 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO220MF

 Аналог (замена) для JCS650F

 

 

JCS650F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  1
jcs650c jcs650f jcs650s.pdf

JCS650F
JCS650F

N N- CHANNEL MOSFETR JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson@Vgs=10V 0.085 Qg 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 ..2. Size:947K  jilin sino
jcs650c jcs650f jcs650s.pdf

JCS650F
JCS650F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson-max 85m @Vgs=10V Qg-typ 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:255K  inchange semiconductor
jcs650s.pdf

JCS650F
JCS650F

isc N-Channel MOSFET Transistor JCS650SFEATURESDrain Current I = 28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =85m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top