R6004JNJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6004JNJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.43 Ohm

Тип корпуса: LPT

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6004JNJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6004JNJ даташит

 ..1. Size:2263K  1
 r6004jnj.pdf pdf_icon

R6004JNJ

R6004JNJ Datasheet Nch 600V 4A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.43 ID 4A PD 60W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPacka

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 r6004jnj.pdf pdf_icon

R6004JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6004JNJ FEATURES Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.43 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 7.1. Size:2220K  1
 r6004jnx.pdf pdf_icon

R6004JNJ

R6004JNX Datasheet Nch 600V 4A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.43 ID 4A PD 35W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPac

 7.2. Size:1485K  1
 r6004jnd3.pdf pdf_icon

R6004JNJ

R6004JND3 Datasheet Nch 600V 4A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.43 ID 4A PD 60W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOW66412, FMV60N190S2HF, JCS650C, JCS650F, JCS650S, R6002END3, R6003KND3, R6004JND3, 2N7000, R6004JNX, R6006JND3, R6006JNJ, R6006JNX, R6006KND3, R6006KNX, R6007JND3, R6007JNJ