Справочник MOSFET. R6006KNX

 

R6006KNX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: R6006KNX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Время нарастания (tr): 22 ns

Выходная емкость (Cd): 350 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.83 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для R6006KNX

 

 

R6006KNX Datasheet (PDF)

0.1. r6006knx.pdf Size:1568K _1

R6006KNX
R6006KNX

R6006KNXDatasheetNch 600V 6A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 600VRDS(on)(Max.) 0.83ID 6APD 40W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing

0.2. r6006knx.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

R6006KNX
R6006KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6006KNXFEATURESDrain Current I =6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 830m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. r6006knd3.pdf Size:1525K _1

R6006KNX
R6006KNX

R6006KND3DatasheetNch 600V 6A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 830mID 6APD 70W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing

7.2. r6006knd3.pdf Size:266K _inchange_semiconductor

R6006KNX
R6006KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6006KND3FEATURESDrain Current I =6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 830m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top