SSI7N60B - аналоги и даташиты транзистора

 

SSI7N60B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSI7N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для SSI7N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI7N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SSI7N60B

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SSI7N60B

Другие MOSFET... R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX , R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SPP20N60C3 , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 .

History: JMPL1025AE | SWP630D | SE4607

 

 
Back to Top

 


 
.