SSI7N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSI7N60B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для SSI7N60B
SSI7N60B Datasheet (PDF)
ssw7n60b ssi7n60b.pdf
November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to
Другие MOSFET... R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX , R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , AON7410 , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 .
History: SI4947DY | ISCNH346F | WMM12N80M3
History: SI4947DY | ISCNH346F | WMM12N80M3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488