STE38NB50F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STE38NB50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE38NB50F
STE38NB50F Datasheet (PDF)
ste38nb50f.pdf

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V
ste38nb50f.pdf

STE38NB50FN - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V
ste38nb50.pdf

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V
ste38nb50.pdf

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V
Другие MOSFET... R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , STE38NB50 , IRF4905 , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B , IPD70R900P7S , MDE1991RH .
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77