APT20M18LVFR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT20M18LVFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 625 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 330 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 2320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для APT20M18LVFR
APT20M18LVFR Datasheet (PDF)
apt20m18lvfr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M18LVFRFEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.018(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general
apt20m18b2vfrg apt20m18lvfrg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT20M18B2VFRA20M18LVFR200V 100A 0.018B2VFR POWER MOS V FREDFETT-MAXTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
apt20m18b2vrg apt20m18lvrg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT20M18B2VRA20M18LVR200V 100A 0.018B2VR POWER MOS V MOSFETT-MAXTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LV
apt20m18lvr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M18LVRFEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.018(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .