APT4014BVFR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT4014BVFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 560 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT4014BVFR
APT4014BVFR Datasheet (PDF)
apt4014bvfr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT4014BVFRFEATURESDrain Current I = 28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.14(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
apt4014bvfrg apt4014svfrg.pdf
APT4014BVFRAPT4014SVFR400V 28A 0.140BVFRFREDFETPOWER MOS VD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,SVFRincreases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
apt4014bvr.pdf
APT4014BVR400V 28A 0.140POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L
apt4014hvr.pdf
APT4014HVR400V 28A 0.140POWER MOS VTO-258Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXFH94N30T
