APT5015BVFR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT5015BVFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 200 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT5015BVFR
APT5015BVFR Datasheet (PDF)
apt5015bvfr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT5015BVFRFEATURESDrain Current I =32A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
apt5015bvfrg.pdf
APT5015BVFRAPT5015SVFR500V 32A 0.150BVFRPOWER MOS V FREDFETD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVFRalso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
apt5015bvr.pdf
APT5015BVR500V 32A 0.150POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower
apt5015bvr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT5015BVRFEATURESDrain Current I =32A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
