Справочник MOSFET. R6504KNJ

 

R6504KNJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6504KNJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для R6504KNJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6504KNJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1376K  rohm
 r6504knj.pdf pdf_icon

R6504KNJ

R6504KNJDatasheetNch 650V 4A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 1.050ID 4.0APD 58W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packin

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6504knj.pdf pdf_icon

R6504KNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6504KNJFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.05(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 7.1. Size:1372K  rohm
 r6504knx.pdf pdf_icon

R6504KNJ

R6504KNXDatasheetNch 650V 4A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 1.050ID 4.0APD 40W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6504knx.pdf pdf_icon

R6504KNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6504KNXFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.05(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... R6024KNZ , R6024KNZ1 , R6030KNX , R6030KNZ , R6030KNZ1 , R6030MNX , R6504ENJ , R6504ENX , IRFP260N , R6504KNX , R6507ENJ , R6507ENX , R6507KNJ , R6509ENJ , R6509ENX , R6509KNJ , R6509KNX .

History: 2SK629 | WMB175N10LG4 | TK5P53D | IRFH5302 | AP4616

 

 
Back to Top

 


 
.