Справочник MOSFET. R6504KNX

 

R6504KNX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6504KNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R6504KNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1372K  rohm
 r6504knx.pdf pdf_icon

R6504KNX

R6504KNXDatasheetNch 650V 4A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 1.050ID 4.0APD 40W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6504knx.pdf pdf_icon

R6504KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6504KNXFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.05(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 7.1. Size:1376K  rohm
 r6504knj.pdf pdf_icon

R6504KNX

R6504KNJDatasheetNch 650V 4A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 1.050ID 4.0APD 58W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packin

 7.2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6504knj.pdf pdf_icon

R6504KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6504KNJFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.05(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3800 | BUK455-100B | SSF65R420S2 | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.