Справочник MOSFET. R6509ENX

 

R6509ENX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6509ENX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.585 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для R6509ENX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6509ENX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1409K  rohm
 r6509enx.pdf pdf_icon

R6509ENX

R6509ENXDatasheetNch 650V 9A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.585ID 9APD 48W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Bulk

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6509enx.pdf pdf_icon

R6509ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6509ENXFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:1390K  rohm
 r6509enj.pdf pdf_icon

R6509ENX

R6509ENJDatasheetNch 650V 9A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.585ID 9APD 94W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Emboss

 7.2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6509enj.pdf pdf_icon

R6509ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6509ENJFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... R6504ENJ , R6504ENX , R6504KNJ , R6504KNX , R6507ENJ , R6507ENX , R6507KNJ , R6509ENJ , P55NF06 , R6509KNJ , R6509KNX , R6511ENJ , R6511ENX , R6511KNJ , R6511KNX , R6515ENJ , R6515ENX .

History: BSO200P03S | SLW9N90C | NP82N055NHE | TT8K11

 

 
Back to Top

 


 
.