Справочник MOSFET. R6509KNX

 

R6509KNX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6509KNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.585 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для R6509KNX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6509KNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1441K  rohm
 r6509knx.pdf pdf_icon

R6509KNX

R6509KNXDatasheetNch 650V 9A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.585ID 9APD 48W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packin

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 r6509knx.pdf pdf_icon

R6509KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6509KNXFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:1409K  rohm
 r6509knj.pdf pdf_icon

R6509KNX

R6509KNJDatasheetNch 650V 9A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.585ID 9APD 94W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing

 7.2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6509knj.pdf pdf_icon

R6509KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6509KNJFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... R6504KNJ , R6504KNX , R6507ENJ , R6507ENX , R6507KNJ , R6509ENJ , R6509ENX , R6509KNJ , IRFB4110 , R6511ENJ , R6511ENX , R6511KNJ , R6511KNX , R6515ENJ , R6515ENX , R6515ENZ , R6515KNJ .

 

 
Back to Top

 


 
.