Справочник MOSFET. R6515ENJ

 

R6515ENJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6515ENJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 184 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для R6515ENJ

 

 

R6515ENJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1381K  rohm
 r6515enj.pdf

R6515ENJ R6515ENJ

R6515ENJDatasheetNch 650V 15A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.315ID 15APD 184W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Emb

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 r6515enj.pdf

R6515ENJ R6515ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6515ENJFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 315m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.1. Size:1419K  rohm
 r6515enx.pdf

R6515ENJ R6515ENJ

R6515ENXDatasheetNch 650V 15A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.315ID 15APD 60W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Bu

 7.2. Size:2557K  rohm
 r6515enz.pdf

R6515ENJ R6515ENJ

R6515ENZDatasheetNch 650V 15A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.315ID 15APD 60W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube

 7.3. Size:251K  inchange semiconductor
 r6515enx.pdf

R6515ENJ R6515ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6515ENXFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 315m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.4. Size:265K  inchange semiconductor
 r6515enz.pdf

R6515ENJ R6515ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6515ENZFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 315m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE0106Z

 

 
Back to Top