Справочник MOSFET. R6520KNX

 

R6520KNX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6520KNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для R6520KNX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6520KNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1838K  rohm
r6520knx.pdfpdf_icon

R6520KNX

R6520KNXDatasheetNch 650V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS 650VRDS(on)(Max.)0.205 TO-220FMID20APD 68W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslCode Packing C7 G TubelApplicationl C7 Tub

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
r6520knx.pdfpdf_icon

R6520KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6520KNXFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 205m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:2218K  rohm
r6520knx1.pdfpdf_icon

R6520KNX

R6520KNX1DatasheetNch 650V 20A Power MOSFETlOutlinel TO-220ABVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.205ID 20APD 220W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pa

 0.2. Size:261K  inchange semiconductor
r6520knx1.pdfpdf_icon

R6520KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6520KNX1FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 205m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6515KNJ , R6515KNX , R6515KNZ , R6520ENJ , R6520ENX , R6520ENZ , R6520ENZ1 , R6520KNJ , AO3400 , R6520KNX1 , R6520KNZ , R6520KNZ1 , R6524ENJ , R6524ENX , R6524ENZ , R6524ENZ1 , R6524KNJ .

History: STB24NM65N | RMW200N03 | DG4N65-TO251 | WMLL010N04LG4 | STU80N4F6 | APT30M36LFLL | R6515KNJ

 

 
Back to Top

 


 
.