Справочник MOSFET. R6524ENZ1

 

R6524ENZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6524ENZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для R6524ENZ1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6524ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2033K  rohm
r6524enz1.pdfpdf_icon

R6524ENZ1

R6524ENZ1DatasheetNch 650V 24A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.185ID 24APD 245WlFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube Packing code C9 Marking R6524ENZ1 Basic ordering unit (

 ..2. Size:377K  inchange semiconductor
r6524enz1.pdfpdf_icon

R6524ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6524ENZ1FEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 185m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:2137K  rohm
r6524enz.pdfpdf_icon

R6524ENZ1

R6524ENZDatasheetNch 650V 24A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.185ID 24APD 74W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube

 6.2. Size:265K  inchange semiconductor
r6524enz.pdfpdf_icon

R6524ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6524ENZFEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 185m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... R6520KNJ , R6520KNX , R6520KNX1 , R6520KNZ , R6520KNZ1 , R6524ENJ , R6524ENX , R6524ENZ , TK10A60D , R6524KNJ , R6524KNX , R6524KNX1 , R6524KNZ , R6530ENX , R6530ENZ , R6530ENZ1 , R6530KNX .

History: WMJ80N65F2 | SSF50R140SFD | IRF250P224 | VS3P07C | STB190NF04 | HM4402B | SPB07N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.