Справочник MOSFET. R6524KNX

 

R6524KNX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6524KNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для R6524KNX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6524KNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1849K  rohm
r6524knx.pdfpdf_icon

R6524KNX

R6524KNXDatasheetNch 650V 24A Power MOSFETlOutlinelVDSS 650VRDS(on)(Max.)0.185 TO-220FMID24APD 74W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslCode Packing C7 G TubelApplicationl C7 Tub

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
r6524knx.pdfpdf_icon

R6524KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6524KNXFEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 185m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:2229K  rohm
r6524knx1.pdfpdf_icon

R6524KNX

R6524KNX1DatasheetNch 650V 24A Power MOSFETlOutlinel TO-220ABVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.185ID 24APD 253W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pa

 0.2. Size:261K  inchange semiconductor
r6524knx1.pdfpdf_icon

R6524KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6524KNX1FEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 185m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6520KNX1 , R6520KNZ , R6520KNZ1 , R6524ENJ , R6524ENX , R6524ENZ , R6524ENZ1 , R6524KNJ , 4N60 , R6524KNX1 , R6524KNZ , R6530ENX , R6530ENZ , R6530ENZ1 , R6530KNX , R6530KNX1 , R6530KNZ .

History: WPM1480 | SFP040N100C3

 

 
Back to Top

 


 
.