Справочник MOSFET. R6530ENX

 

R6530ENX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6530ENX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для R6530ENX

 

 

R6530ENX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1920K  rohm
 r6530enx.pdf

R6530ENX R6530ENX

R6530ENXDatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinelVDSS 650VRDS(on)(Max.)0.140 TO-220FMID30APD 86W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslCode Packing C7 G TubelApplicationl C7 Tube*Sw

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6530enx.pdf

R6530ENX R6530ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENXFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.1. Size:2376K  rohm
 r6530enz1.pdf

R6530ENX R6530ENX

R6530ENZ1DatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 305W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 7.2. Size:2373K  rohm
 r6530enz.pdf

R6530ENX R6530ENX

R6530ENZDatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 86W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube

 7.3. Size:303K  inchange semiconductor
 r6530enz1.pdf

R6530ENX R6530ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 7.4. Size:266K  inchange semiconductor
 r6530enz.pdf

R6530ENX R6530ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top