R6530ENX - описание и поиск аналогов

 

R6530ENX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6530ENX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для R6530ENX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6530ENX даташит

 ..1. Size:1920K  rohm
r6530enx.pdfpdf_icon

R6530ENX

R6530ENX Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 TO-220FM ID 30A PD 86W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Code Packing C7 G Tube lApplication l C7 Tube* Sw

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
r6530enx.pdfpdf_icon

R6530ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENX FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 140m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 7.1. Size:2376K  rohm
r6530enz1.pdfpdf_icon

R6530ENX

R6530ENZ1 Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 ID 30A PD 305W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tu

 7.2. Size:2373K  rohm
r6530enz.pdfpdf_icon

R6530ENX

R6530ENZ Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l TO-3PF VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 ID 30A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tube

Другие MOSFET... R6524ENJ , R6524ENX , R6524ENZ , R6524ENZ1 , R6524KNJ , R6524KNX , R6524KNX1 , R6524KNZ , IRFB3607 , R6530ENZ , R6530ENZ1 , R6530KNX , R6530KNX1 , R6530KNZ , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 .

History: IRFI360

 

 

 

 

↑ Back to Top
.