Справочник MOSFET. R6530ENZ1

 

R6530ENZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6530ENZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R6530ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2376K  rohm
r6530enz1.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

R6530ENZ1DatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 305W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
r6530enz1.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:2373K  rohm
r6530enz.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

R6530ENZDatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 86W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube

 6.2. Size:266K  inchange semiconductor
r6530enz.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP2320GN | 2SK3080 | 2SK417 | AOTF11N70 | CJ2101 | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.