R6530ENZ1 - описание и поиск аналогов

 

R6530ENZ1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: R6530ENZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для R6530ENZ1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6530ENZ1 технические параметры

 ..1. Size:2376K  rohm
r6530enz1.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

R6530ENZ1 Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 ID 30A PD 305W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tu

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
r6530enz1.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ1 FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 140m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 6.1. Size:2373K  rohm
r6530enz.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

R6530ENZ Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l TO-3PF VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 ID 30A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tube

 6.2. Size:266K  inchange semiconductor
r6530enz.pdfpdf_icon

R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 140m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... R6524ENZ , R6524ENZ1 , R6524KNJ , R6524KNX , R6524KNX1 , R6524KNZ , R6530ENX , R6530ENZ , IRF530 , R6530KNX , R6530KNX1 , R6530KNZ , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 .

 

 
Back to Top

 


 
.