R6530ENZ1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6530ENZ1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6530ENZ1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6530ENZ1 даташит

 ..1. Size:2376K  rohm
 r6530enz1.pdf pdf_icon

R6530ENZ1

R6530ENZ1 Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 ID 30A PD 305W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tu

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
 r6530enz1.pdf pdf_icon

R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ1 FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 140m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 6.1. Size:2373K  rohm
 r6530enz.pdf pdf_icon

R6530ENZ1

R6530ENZ Datasheet Nch 650V 30A Power MOSFET lOutline l TO-3PF VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.140 ID 30A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tube

 6.2. Size:266K  inchange semiconductor
 r6530enz.pdf pdf_icon

R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 140m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... R6524ENZ, R6524ENZ1, R6524KNJ, R6524KNX, R6524KNX1, R6524KNZ, R6530ENX, R6530ENZ, 12N60, R6530KNX, R6530KNX1, R6530KNZ, R6530KNZ1, R6535ENZ, R6535ENZ1, R6535KNZ, R6535KNZ1