Справочник MOSFET. R6530ENZ1

 

R6530ENZ1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: R6530ENZ1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 305 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 90 nC

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 2300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для R6530ENZ1

 

 

R6530ENZ1 Datasheet (PDF)

0.1. r6530enz1.pdf Size:2376K _rohm

R6530ENZ1
R6530ENZ1

R6530ENZ1DatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 305W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

0.2. r6530enz1.pdf Size:303K _inchange_semiconductor

R6530ENZ1
R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. r6530enz.pdf Size:2373K _rohm

R6530ENZ1
R6530ENZ1

R6530ENZDatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 86W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube

6.2. r6530enz.pdf Size:266K _inchange_semiconductor

R6530ENZ1
R6530ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530ENZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top