R6020KNZ4 - описание и поиск аналогов

 

R6020KNZ4 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: R6020KNZ4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для R6020KNZ4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6020KNZ4 технические параметры

 ..1. Size:1355K  rohm
r6020knz4.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ4 Datasheet Nch 600V 20A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.196 ID 20A PD 231W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packi

 6.1. Size:2176K  rohm
r6020knz1.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ1 Datasheet Nch 600V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.196 TO-247 ID 20A PD 231W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Packing Tube Reel size (mm) - lA

 6.2. Size:2192K  rohm
r6020knz.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ Datasheet Nch 600V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.196 TO-3PF ID 20A PD 68W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Packing Tube Reel size (mm) - lApp

 6.3. Size:377K  inchange semiconductor
r6020knz1.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

isc N-Channel MOSFET Transistor R6020KNZ1 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 196m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , 5N60 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 .

History: PK632BA

 

 
Back to Top

 


 
.