R6020KNZ4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6020KNZ4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6020KNZ4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6020KNZ4 даташит

 ..1. Size:1355K  rohm
 r6020knz4.pdf pdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ4 Datasheet Nch 600V 20A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.196 ID 20A PD 231W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packi

 6.1. Size:2176K  rohm
 r6020knz1.pdf pdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ1 Datasheet Nch 600V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.196 TO-247 ID 20A PD 231W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Packing Tube Reel size (mm) - lA

 6.2. Size:2192K  rohm
 r6020knz.pdf pdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ Datasheet Nch 600V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.196 TO-3PF ID 20A PD 68W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Packing Tube Reel size (mm) - lApp

 6.3. Size:377K  inchange semiconductor
 r6020knz1.pdf pdf_icon

R6020KNZ4

isc N-Channel MOSFET Transistor R6020KNZ1 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 196m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... R6535ENZ1, R6535KNZ, R6535KNZ1, R8002ANJ, R8005ANJ, R8008ANJ, RJ1G08CGN, RJ1G12BGN, TK10A60D, DJR0417, R6035KNZ, R6035KNZ1, R6047MNZ1, R6547ENZ1, R6547KNZ1, R6576ENZ1, R6576KNZ1