Справочник MOSFET. R6020KNZ4

 

R6020KNZ4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6020KNZ4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для R6020KNZ4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6020KNZ4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1355K  rohm
r6020knz4.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ4DatasheetNch 600V 20A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 600VRDS(on)(Max.) 0.196ID 20APD 231W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packi

 6.1. Size:2176K  rohm
r6020knz1.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZ1DatasheetNch 600V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.196 TO-247ID20APD 231W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Ultra fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl Packing Tube Reel size (mm) -lA

 6.2. Size:2192K  rohm
r6020knz.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

R6020KNZDatasheetNch 600V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.196 TO-3PFID20APD 68W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Ultra fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl Packing Tube Reel size (mm) -lApp

 6.3. Size:377K  inchange semiconductor
r6020knz1.pdfpdf_icon

R6020KNZ4

isc N-Channel MOSFET Transistor R6020KNZ1FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 196m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , 13N50 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 .

History: FDMC8010 | JFFM12N80C

 

 
Back to Top

 


 
.