Справочник MOSFET. R6547KNZ1

 

R6547KNZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6547KNZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R6547KNZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2038K  rohm
r6547knz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

R6547KNZ1Nch 650V 47A Power MOSFETDatasheetlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.080ID 47APD 480WlFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube Packing code C9 Marking R6547KNZ1 Basic ordering unit (

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
r6547knz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6547KNZ1FEATURESDrain Current I = 47A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 80m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:2055K  rohm
r6547enz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

R6547ENZ1DatasheetNch 650V 47A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.080ID 47APD 480WlFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tube Packing code C9 Marking R6547ENZ1 Basic ordering unit (

 9.2. Size:303K  inchange semiconductor
r6547enz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6547ENZ1FEATURESDrain Current I = 47A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 80m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT10090BFLL | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.