R6547KNZ1 - описание и поиск аналогов

 

R6547KNZ1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6547KNZ1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для R6547KNZ1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6547KNZ1 даташит

 ..1. Size:2038K  rohm
r6547knz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

R6547KNZ1 Nch 650V 47A Power MOSFET Datasheet lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.080 ID 47A PD 480W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tube Packing code C9 Marking R6547KNZ1 Basic ordering unit (

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
r6547knz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6547KNZ1 FEATURES Drain Current I = 47A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 80m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 9.1. Size:2055K  rohm
r6547enz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

R6547ENZ1 Datasheet Nch 650V 47A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.080 ID 47A PD 480W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tube Packing code C9 Marking R6547ENZ1 Basic ordering unit (

 9.2. Size:303K  inchange semiconductor
r6547enz1.pdfpdf_icon

R6547KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6547ENZ1 FEATURES Drain Current I = 47A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 80m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , IRF520 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.