RD3H045SP - описание и поиск аналогов

 

RD3H045SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3H045SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3H045SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H045SP даташит

 ..1. Size:1617K  rohm
rd3h045sp.pdfpdf_icon

RD3H045SP

RD3H045SP Datasheet Pch -45V -4.5A Power MOSFET lOutline l VDSS -45V DPAK RDS(on)(Max.) 155m TO-252 ID 4.5A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3h045sp.pdfpdf_icon

RD3H045SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H045SP FEATURES Drain Current I = -4.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 155m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

 9.1. Size:1606K  rohm
rd3h080sp.pdfpdf_icon

RD3H045SP

RD3H080SP Datasheet Pch -45V -8A Power MOSFET lOutline l VDSS -45V DPAK RDS(on)(Max.) 91m TO-252 ID 8A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embos

 9.2. Size:266K  inchange semiconductor
rd3h080sp.pdfpdf_icon

RD3H045SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H080SP FEATURES Drain Current I = -8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 91m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , P60NF06 , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.