Справочник MOSFET. RD3H080SP

 

RD3H080SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3H080SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3H080SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H080SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1606K  rohm
rd3h080sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

RD3H080SPDatasheetPch -45V -8A Power MOSFETlOutlinelVDSS-45V DPAKRDS(on)(Max.)91m TO-252ID8APD15W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbos

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
rd3h080sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H080SPFEATURESDrain Current I = -8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 91m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:1617K  rohm
rd3h045sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

RD3H045SPDatasheetPch -45V -4.5A Power MOSFETlOutlinelVDSS-45V DPAKRDS(on)(Max.)155m TO-252ID4.5APD15W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3h045sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H045SPFEATURESDrain Current I = -4.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 155m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

Другие MOSFET... R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , IRF520 , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN .

History: IRL6283M | IRL1404ZSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.