RD3H080SP - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RD3H080SP. Основные параметры


   Наименование производителя: RD3H080SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3H080SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H080SP даташит

 ..1. Size:1606K  rohm
rd3h080sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

RD3H080SP Datasheet Pch -45V -8A Power MOSFET lOutline l VDSS -45V DPAK RDS(on)(Max.) 91m TO-252 ID 8A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embos

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
rd3h080sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H080SP FEATURES Drain Current I = -8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 91m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 9.1. Size:1617K  rohm
rd3h045sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

RD3H045SP Datasheet Pch -45V -4.5A Power MOSFET lOutline l VDSS -45V DPAK RDS(on)(Max.) 155m TO-252 ID 4.5A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3h045sp.pdfpdf_icon

RD3H080SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H045SP FEATURES Drain Current I = -4.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 155m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

Другие MOSFET... R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , 75N75 , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN .

History: HSS0127 | IXTX40P50P | IXTX22N100L | IXTY05N100 | KRF7604 | SST113 | FDY4000CZ

 

 
Back to Top

 


 
.