Справочник MOSFET. RD3L140SP

 

RD3L140SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3L140SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3L140SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3L140SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1593K  rohm
rd3l140sp.pdfpdf_icon

RD3L140SP

RD3L140SPDatasheetPch -60V -14A Power MOSFETlOutlinelVDSS-60V DPAKRDS(on)(Max.)84m TO-252ID14APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmb

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3l140sp.pdfpdf_icon

RD3L140SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3L140SPFEATURESDrain Current I = -14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 84m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

 9.1. Size:1617K  rohm
rd3l150sn.pdfpdf_icon

RD3L140SP

RD3L150SN DatasheetNch 60V 15A Power MOSFETlOutlinelVDSS60V DPAKRDS(on)(Max.)40m TO-252ID15APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbosse

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3l150sn.pdfpdf_icon

RD3L140SP

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3L150SNFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RU7088R , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN .

History: SRT10N022HTLTR-G | BUZ15 | STFW12N120K5 | KIA2808A-220 | WSP4407A | SWT18N65D | WMP13N70EM

 

 
Back to Top

 


 
.