RD3P130SP - описание и поиск аналогов

 

RD3P130SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3P130SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3P130SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3P130SP даташит

 ..1. Size:1640K  rohm
rd3p130sp.pdfpdf_icon

RD3P130SP

RD3P130SP Datasheet Pch -100V -13A Power MOSFET lOutline l VDSS -100V DPAK RDS(on)(Max.) 200m TO-252 ID 13A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3p130sp.pdfpdf_icon

RD3P130SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3P130SP FEATURES Drain Current I = -13A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 200m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

 9.1. Size:1590K  rohm
rd3p175sn.pdfpdf_icon

RD3P130SP

RD3P175SN Datasheet Nch 100V 17.5A Power MOSFET lOutline l VDSS 100V DPAK RDS(on)(Max.) 105m TO-252 ID 17.5A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l

 9.2. Size:1587K  rohm
rd3p100sn.pdfpdf_icon

RD3P130SP

RD3P100SN Datasheet Nch 100V 10A Power MOSFET lOutline l VDSS 100V DPAK RDS(on)(Max.) 133m TO-252 ID 10A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Emb

Другие MOSFET... RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , IRFB7545 , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.