Справочник MOSFET. RD3S075CN

 

RD3S075CN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3S075CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.336 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3S075CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1527K  rohm
 rd3s075cn.pdf pdf_icon

RD3S075CN

RD3S075CNDatasheetNch 190V 7.5A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS190VRDS(on)(Max.) 336mID 7.5APD52W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging spec

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 rd3s075cn.pdf pdf_icon

RD3S075CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3S075CNFEATURESDrain Current I = 7.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 190V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 336m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: R5007ANJ | SIHFIBF20G | AP4C205Y | SPI80N06S-80 | AP2451GY-HF | UT2301 | CEM26138

 

 
Back to Top

 


 
.