RD3T075CN - описание и поиск аналогов

 

RD3T075CN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3T075CN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3T075CN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3T075CN даташит

 ..1. Size:3540K  rohm
rd3t075cn.pdfpdf_icon

RD3T075CN

RD3T075CN Datasheet Nch 200V 7.5A Power MOSFET lOutline l VDSS 200V DPAK RDS(on)(Max.) 325m TO-252 ID 7.5A PD 52W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packing Tape Reel size (mm) 330 lApplication

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3t075cn.pdfpdf_icon

RD3T075CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T075CN FEATURES Drain Current I = 7.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 325m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

 9.1. Size:1474K  rohm
rd3t050cn.pdfpdf_icon

RD3T075CN

RD3T050CN Datasheet Nch 200V 5A Power MOSFET lOutline l VDSS 200V DPAK RDS(on)(Max.) 760m TO-252 ID 5A PD 29W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packi

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3t050cn.pdfpdf_icon

RD3T075CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T050CN FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 760m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , AOD4184A , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.