RD3U040CN - описание и поиск аналогов

 

RD3U040CN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3U040CN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3U040CN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3U040CN даташит

 ..1. Size:1490K  rohm
rd3u040cn.pdfpdf_icon

RD3U040CN

RD3U040CN Datasheet Nch 250V 4A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 1300m TO-252 ID 4A PD 29W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Pack

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3u040cn.pdfpdf_icon

RD3U040CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3U040CN FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 42m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 9.1. Size:1498K  rohm
rd3u080cn.pdfpdf_icon

RD3U040CN

RD3U080CN Datasheet Nch 250V 8A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 300m TO-252 ID 8A PD 85W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packing Ta

 9.2. Size:1502K  rohm
rd3u060cn.pdfpdf_icon

RD3U040CN

RD3U060CN Datasheet Nch 250V 6A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 530m TO-252 ID 6A PD 52W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packi

Другие MOSFET... RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , 60N06 , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.