Справочник MOSFET. FHP12N60

 

FHP12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  1
 fhp12n60.pdf pdf_icon

FHP12N60

FHP12N60FHP12N60 N MOSAC-DCDC-DCHPMW 12A,600V,RDS(on)(0.6 TC=25 VDS

 0.1. Size:784K  feihonltd
 fhp12n60a fhf12n60a.pdf pdf_icon

FHP12N60

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N60A/ FHF12N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.6 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt Im

 7.1. Size:782K  feihonltd
 fhp12n65c fhf12n65c.pdf pdf_icon

FHP12N60

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N65C/ FHF12N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.63 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt I

 9.1. Size:802K  feihonltd
 fhp120n08d.pdf pdf_icon

FHP12N60

N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , BS170 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K .

History: DMP1045U | SRC60R017FBT4G | FDP023N08B | APM6055NU | AP3N9R5H | CS5N20A3 | RU30110M

 

 
Back to Top

 


 
.