FL6L52010L - описание и поиск аналогов

 

FL6L52010L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FL6L52010L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 85 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: WSSMINI6-F1

Аналог (замена) для FL6L52010L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FL6L52010L даташит

 ..1. Size:288K  1
fl6l52010l.pdfpdf_icon

FL6L52010L

Doc No. TT4-EA-12746 Revision. 2 Product Standards MOS FET FL6L52010L FL6L52010L Silicon P-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS

 6.1. Size:486K  panasonic
fl6l5201.pdfpdf_icon

FL6L52010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FL6L5201 Silicon P-channel MOS FET (FET) Silicon epitaxial planar type (SBD) For switching circuits For DC-DC converter circuits Overview Package FL6L5201 is P-channel single type small signal MOS FET with SBD Code employed small size surface mounting package. WSSMini6-F1 Package dimension clicks here. Click!

 7.1. Size:370K  panasonic
fl6l5207.pdfpdf_icon

FL6L52010L

Doc No. TT4-EA-13067 Revision. 2 Product Standards MOS FET FL6L52070L FL6L52070L Silicon P-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 300 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoH

 7.2. Size:339K  panasonic
fl6l5206.pdfpdf_icon

FL6L52010L

Doc No. TT4-EA-13066 Revision. 2 Product Standards MOS FET FL6L52060L FL6L52060L Silicon P-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94

Другие MOSFET... RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , IRFZ44N , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.