FL6L52010L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FL6L52010L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 85 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: WSSMINI6-F1
Аналог (замена) для FL6L52010L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FL6L52010L даташит
fl6l52010l.pdf
Doc No. TT4-EA-12746 Revision. 2 Product Standards MOS FET FL6L52010L FL6L52010L Silicon P-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS
fl6l5201.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FL6L5201 Silicon P-channel MOS FET (FET) Silicon epitaxial planar type (SBD) For switching circuits For DC-DC converter circuits Overview Package FL6L5201 is P-channel single type small signal MOS FET with SBD Code employed small size surface mounting package. WSSMini6-F1 Package dimension clicks here. Click!
fl6l5207.pdf
Doc No. TT4-EA-13067 Revision. 2 Product Standards MOS FET FL6L52070L FL6L52070L Silicon P-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 300 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoH
fl6l5206.pdf
Doc No. TT4-EA-13066 Revision. 2 Product Standards MOS FET FL6L52060L FL6L52060L Silicon P-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94
Другие MOSFET... RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , IRFZ44N , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438





