AP120N03K - описание и поиск аналогов

 

AP120N03K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP120N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP120N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP120N03K даташит

 ..1. Size:1631K  allpower
 ap120n03k.pdf pdf_icon

AP120N03K

 6.1. Size:578K  allpower
 ap120n03.pdf pdf_icon

AP120N03K

 6.2. Size:1444K  cn apm
 ap120n03nf.pdf pdf_icon

AP120N03K

AP120N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =120A DS D R

 6.3. Size:1481K  cn apm
 ap120n03d.pdf pdf_icon

AP120N03K

AP120N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =120A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , IRFP460 , AP15N10 , AP15P03Q , AP2045K , AP2080K , AP2300 , AP2301 , AP2302 , AP2302B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.