AP120N03K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP120N03K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 86 ns
Выходная емкость (Cd): 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
AP120N03K Datasheet (PDF)
ap1203agmt-hf.pdf
AP1203AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 12m Low On-resistance ID 37AG RoHS CompliantSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi
ap1203gh.pdf
AP1203GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 37AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)ruggedized device desi
ap1203gm.pdf
AP1203GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 12mD Fast Switching Characteristic ID 11.2AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device de
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: LSF70R450GT
