Справочник MOSFET. AP2302B

 

AP2302B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP2302B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP2302B

 

 

AP2302B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  allpower
 ap2302b.pdf

AP2302B AP2302B

 8.1. Size:96K  ape
 ap2302gn-hf.pdf

AP2302B AP2302B

AP2302GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistanc

 8.2. Size:91K  ape
 ap2302n-hf.pdf

AP2302B AP2302B

AP2302N-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 64m Surface Mount Package ID 3.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resista

 8.3. Size:176K  ape
 ap2302agn.pdf

AP2302B AP2302B

AP2302AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface Mount Package ID 4.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2302A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l

 8.4. Size:95K  ape
 ap2302gn.pdf

AP2302B AP2302B

AP2302GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2ASSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistance and cost-effectiven

 8.5. Size:94K  ape
 ap2302agn-hf.pdf

AP2302B AP2302B

AP2302AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface mount package ID 4.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist

 8.6. Size:849K  allpower
 ap2302.pdf

AP2302B AP2302B

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top